BOULESBAA, Mohammed (2008) Contribution à l’étude par spectroscopie infrarouge des propriétés des films de SiOxNy. Magister thesis, Université de Batna 2.

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Abstract

L’effet du taux d’oxygène et du recuit thermique sur les propriétés physico-chimiques de films minces d’oxynitrure de silicium élaborés à basse température (200°C) par la technique PECVD a été étudié. Les films ont été élaborés à partir des gaz réactifs SiH4, NH3, N2O et N2. La puissance et la pression restent constantes. Seule la composition de la phase gazeuse est considérée comme paramètre variable (N2O, N2). Par contre, le débit total étant maintenu constant. L’analyse par spectroscopie infrarouge des propriétés physico-chimiques des films SiOxNy montre que l’augmentation du taux d’oxygène (N2O) abouti à des films possédant d’une composition varie de nitrure jusqu'à d’oxynitrure de silicium riche en oxygène. Les films SiOxNy sont obtenus pour un débit de N2O supérieur à 75 sccm. Par contre, les films de nitrure sont obtenus pour un débit de N2O inférieur à 75 sccm. Une étude spéciale consacrée aux effets du recuit thermique sur les liaisons chimiques des différents films a permis de déduire une réduction de la concentration de l’hydrogène et de l’azote en fonction de l’augmentation de la température. Cette réduction s’accompagne par la restructuration au niveau des liaisons pures

Item Type:	Thesis (Magister)
Uncontrolled Keywords:	CVD, PECVD, plasma, FTIR, recuit thermique, films minces, oxynitrure de silicium, SiOxNy, nitrure, SiNx, spectre infrarouge, déconvolution gaussienne
Subjects:	Technologie > Electronique
Divisions:	Faculté de technologie > Département d'électronique
Date Deposited:	27 Apr 2017 12:11
Last Modified:	27 Apr 2017 12:11
URI:	http://eprints.univ-batna2.dz/id/eprint/1194

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