BENACER, Imad (2016) Modélisation des transistors organiques. Doctoral thesis, Université de Batna 2.

Preview

Text Thèse BENACER Imad.pdf Download (5MB) | Preview

Abstract

L’utilisation des composés organiques comme matériaux actifs représente la prochaine génération technologique, cette nouvelle génération a dynamisé la recherche autour des transistors organiques à effet de champs (OFET) grâce à de nombreux avantages, et notamment : leur potentiel bas prix de fabrication et leur flexibilité. Cependant, les transistors organiques souffrent de nombreux défauts : courants faibles, l’injection de charges et la puissance dissipée, en dépit du développement et des progrès impressionnants dans leurs performances. De ce fait, la modélisation des dispositifs électroniques organiques constitue actuellement un axe de recherche très important et attractif à travers le monde. Ce travail porte sur la modélisation du transistor organique, le but d’une modélisation électrique est de remplacer un système complexe par un objet simple et de reproduire voire prédire ses comportements principaux (caractéristique I-V). Nous proposons un modèle analytique de la tension de seuil d’un transistor organique, le modèle prend en compte le profil de dopage gaussien du canal, un modèle physique bidimensionnel d’OFET a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS) de calcul par éléments finis, puis nous présentons un autre modèle analytique qui a été développé sur la base du modèle des transistors TFT et MOSFET et la méthode d’extraction des paramètres basés sur les algorithmes génétiques de ce modèle. Une autre approche réside dans le développement d’un modèle basé sur la théorie d’un système Neuro-flou (ANFIS) où la base de données est établie sur la base d’un modèle numérique via ATLAS, puis l’implémentation de ce dernier dans l’environnement de simulation PSPICE. Nos résultats sont comparés à des résultats expérimentaux, analysés et commentés de manière à pouvoir en tirer des conclusions pratiques pour la technologie organique. Les résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour développer des composants ou des dispositifs performants à base d’OFETs.

Item Type:	Thesis (Doctoral)
Uncontrolled Keywords:	Transistor Organique à Effet de Champ (OFET), modèle compact, les Algorithmes Génétiques (AG), SILVACO (ATLAS), Système d'inférence Neuro-Flou Adaptatif (ANFIS).
Subjects:	Technologie Technologie > Electronique
Divisions:	Faculté de technologie > Département d'électronique
Date Deposited:	04 Jun 2016 09:34
Last Modified:	04 Jun 2016 09:34
URI:	http://eprints.univ-batna2.dz/id/eprint/70

Actions (login required)

View Item