BOUDJENIFA, Bahia (2016) Modélisation d’un ISFET. Magister thesis, Université de Batna 2.

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Abstract

Dans ce mémoire, la modélisation comportementale de l’influence de la température sur la réponse de pH-ISFET a été présenté en utilisant le simulateur Orcad PSPICE et le logiciel Matlab. Ce modèle est basé sur le modèle dit site-binding et le niveau 3 du modèle MOSFET de PSPICE. Les variations de constantes de dissociation ka et kb à l’interface électrolyte/ isolant SiO2/Si3N4 en fonction de la variation de température ont été étudiés. Les paramètres du modèle sont extrait en utilisant l'algorithme de Newton-Gauss en se basant sur la méthode des moindre carrée, l'utilisation de ces valeurs a montré une bonne estimation entre la modélisation et les données expérimentales à différentes températures sur une large gamme de pH.

Item Type:	Thesis (Magister)
Uncontrolled Keywords:	Modélisation; Capteur pH-ISFET; Dérive de la température; PSPICE; MOSFET; Méthode du Newton-Gauss
Subjects:	Technologie > Electronique
Divisions:	Faculté de technologie > Département d'électronique
Date Deposited:	26 Apr 2017 10:40
Last Modified:	26 Apr 2017 10:40
URI:	http://eprints.univ-batna2.dz/id/eprint/1114

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