Zitouni, MESSAI (2013) « ELABORATION SUR WAFER Si (100) ET (111) DE COUCHES SENSIBLES DE (ZnO) PAR ELECTROCRISTALLISATION EN VUE D’APPLICATION DANS LES DOMAINES DE L’OPTOELECTRONIQUE ET DES CAPTEURS ». Doctoral thesis, Université de Batna 2.

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Abstract

Les semiconducteurs III-V sont des composés essentiels pour le développement des composants hyperfréquences, optoélectroniques, circuits logiques et capteurs de gaz. Parmi ceux-là, l’oxyde de zinc, c’est un matériau important dans la réalisation des composants électroniques. L’intérêt de ce matériau dans notre étude avait pour objectif, l’étude et la caractérisation des nanostructures à base de ZnO destinées à la fabrication de capteurs de gaz. Les capteurs à base de matériaux semi-conducteurs, en particulier l’oxyde de zinc, sont des grands alliés dans la détection d’un seuil de nocivité. Ces détecteurs sont basés sur la variation de la conductance de la surface en fonction de la concentration et de la quantité de gaz adsorbé. Dans ce cadre, nous étudions les dépôts de couches nanocristallines d’oxyde de zinc élaboré à partir de l’oxydation d’un film nanométrique de zinc électrocristallisé sur un substrat de silicium monocristallin (111) type-p et isolant (verre). L’électrolyte utilisé est une solution aqueuse de ZnCl2 avec une concentration de 4.10-4 Mol/l (Si) et 2.10-4 Mol/l (verre). Plusieurs dépôts ont été réalisés en faisant varier la densité de courant passant dans la solution sous une température ambiante. La densité de courant utilisée est comprise entre 13mA/cm2- 44mA/cm2 (Si) et 6.66 mA/cm2 - 20 mA/cm2 (verre). Une étude paramétrique a permis de relier l’influence de la densité de courant sur le potentiel de nucléation, le temps de Sand et la structure des films de zinc. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXD) a permis de montrer que notre dépôt est polycristallin et nanométrique. Après oxydation de deux heures à 450°C du film de zinc l’étude structurale a montré que le film restait polycristallin avec une taille moyenne des cristallites de ZnO de l’ordre de 39 nm (Si) et 15nm (verre), avec des orientations privilégiées de croissance (100), (002) et (101). Les films ont été observés par Microscope à Force Atomique (AFM), Microscope Electronique à Balayage (MEB) et Microscope Electronique à Transmission (TEM).

Item Type:	Thesis (Doctoral)
Subjects:	Technologie > Electronique
Divisions:	Faculté de technologie > Département d'électronique
Date Deposited:	25 Apr 2017 12:48
Last Modified:	25 Apr 2017 12:48
URI:	http://eprints.univ-batna2.dz/id/eprint/1080

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